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副邊反饋(SSR)+QR

      亞成微AC-DC電源管理芯片產(chǎn)品線覆蓋原邊反饋、副邊反饋、同步整流等功能產(chǎn)品,通過內(nèi)置或外置功率器件來實(shí)現(xiàn)電流的快速開關(guān)和控制,全線產(chǎn)品滿足六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)。

副邊反饋(SSR)+QR

產(chǎn)品型號(hào) 功能特點(diǎn) 典型功率 功率器件 最大頻率 封裝形式
RM6514S CCM/QR、六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn) 18W/24W 內(nèi)置MOS 65kHz SOP-7
RM6515D CCM/QR、六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn) 18W/24W 內(nèi)置MOS 65kHz DIP-7
RM6517D CCM/QR、六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn) 30W/36W 內(nèi)置MOS 65kHz DIP-7
RM6510T CCM/QR、六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn) 100W/100W 外置MOS 65kHz SOT23-6
RM6500SA CCM/QR、六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn) 100W/100W 外置MOS 65kHz SOP-8
RM6522SA 內(nèi)置?壓MOS QR/?底開通模式 ?壓VCC 15W/18W 內(nèi)置MOS 100kHz SOP-7
RM6500S CCM/QR、六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn) 100W/100W 外置MOS 65kHz SOP-8
RM6526D 內(nèi)置?壓MOS QR/?底開通模式 ?壓VCC 25W/30W 內(nèi)置MOS 100kHz DIP-7
RM6524D 內(nèi)置?壓MOS QR/?底開通模式 ?壓VCC 20W/25W 內(nèi)置MOS 100kHz DIP-7
RM6523D 內(nèi)置?壓MOS QR/?底開通模式 ?壓VCC 18W/20W 內(nèi)置MOS 100kHz DIP-7
RM6522D 內(nèi)置?壓MOS QR/?底開通模式 ?壓VCC 12W/15W 內(nèi)置MOS 100kHz DIP-7
RM6524SAL 內(nèi)置?壓MOS QR/?底開通模式 ?壓VCC 20W/25W 內(nèi)置MOS 65kHz SOP-7
RM6524SA 內(nèi)置?壓MOS QR/?底開通模式 ?壓VCC 20W/25W 內(nèi)置MOS 100kHz SOP-7
RM6523SAL 內(nèi)置?壓MOS QR/?底開通模式 ?壓VCC 20W/25W 內(nèi)置MOS 65kHz SOP-7
RM6523SAH 內(nèi)置?壓MOS QR/?底開通模式 ?壓VCC 20W/25W 內(nèi)置MOS 100kHz SOP-7
RM6523SA 內(nèi)置?壓MOS QR/?底開通模式 ?壓VCC 20W/25W 內(nèi)置MOS 100kHz SOP-7
RM6528NS 內(nèi)置?壓GaNFET QR/?底開通模式 20W/25W 內(nèi)置GaN 100kHz ESOP-8
RM6524NDH 內(nèi)置?壓GaNFET QR/?底開通模式 45W/50W 內(nèi)置GaN 100kHz DFN8*8
RM6524ND 內(nèi)置?壓GaNFET QR/?底開通模式 35W/45W 內(nèi)置GaN 100kHz DFN5*6
RM6522ND 內(nèi)置?壓GaNFET QR/?底開通模式 60W/65W 內(nèi)置GaN 100kHz DFN8*8
RM6520SDQ ?壓?jiǎn)?dòng) ?壓VCC QR/?底開通模式 120W/120W 外置MOS 100kHz SOP-8
RM6520NDQ ?壓?jiǎn)?dòng) ?壓VCC QR/?底開通模式 120W/120W 外置GaN 100kHz SOP-8
RM6520SL ?壓VCC , QR/?底開通模式,六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn) 120W/120W 外置MOS 65kHz SOP-8
RM6520TN ?壓VCC , QR/?底開通模式,六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn) 120W/120W 外置GaN 100kHz SOT23-6
RM6604NDQ 高壓?jiǎn)?dòng),QR,內(nèi)置高壓GaNFET,集成GaN驅(qū)動(dòng)器,六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn) 36W/40W 內(nèi)置GaN 130kHz DFN5*6
RM6602NDQ 高壓?jiǎn)?dòng),QR,內(nèi)置高壓GaNFET,集成GaN驅(qū)動(dòng)器,六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn) 65W/70W 內(nèi)置GaN 130kHz DFN8*8
RM6601NDQ 高壓?jiǎn)?dòng),QR,集成GaN驅(qū)動(dòng)器,六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn) 100W/100W 外置GaN 130kHz SOP-8
RM6520TL ?壓VCC , QR/?底開通模式,六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn) 120W/120W 外置MOS 65kHz SOT23-6
RM6520T ?壓VCC , QR/?底開通模式,六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn) 120W/120W 外置MOS 100kHz SOT23-6
RM6520S ?壓VCC , QR/?底開通模式,六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn) 120W/120W 外置MOS 100KHZ SOP-8