SGT MOSFET是對Trench MOS的?種改良結構。較傳統(tǒng)Trench MOSFET，SGT MOSFET在柵電極下方增加了?塊多晶硅電極，即屏蔽電極或稱耦合電極。屏蔽電極與源電極相連，即實現(xiàn)了屏蔽柵極與漂移區(qū)的作?，減小了?勒電容，器件的開關速度得以加快，同時?實現(xiàn)了電荷耦合效應，減小了漂移區(qū)臨界電場強度，器件的導通電阻得以減小，開關損耗能夠更低。
| Part Number | VDS (V) | ID (A) 25℃ | PD(W) 25℃ | RDS(ON)(mΩ) (VGS=10V)（Max） |
Qg(nC)(VGS=10V) （Typ） |
VGS(V) | VGS(th)(V) （Typ） |
Package | 是否符合車規(guī)要求 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RMD100N15S-AU | 150 | 60 | 128 | 10 | 25 | 20 | 3.3 | PDFN5*6 | 是 |
| RMD080N10S-AU | 100 | 69 | 72 | 8 | 62 | 20 | 3.3 | PDFN5*6 | 是 |
| RMD040N10S-AU | 100 | 100 | 86 | 4 | 99 | 20 | 3.3 | PDFN5*6 | 是 |
| RMR020N10S-AU | 100 | 188 | 352 | 2 | 186 | 20 | 3.3 | TOLL | 是 |
| RMR015N08S-AU | 80 | 300 | 278 | 1.5 | 218 | 20 | 3.3 | TOLL | 是 |
| RMD090N06SL-AU | 60 | 45 | 30 | 9 | 24 | 20 | 1.8 | PDFN5*6 | 是 |
| RMD060N06SL-AU | 60 | 56 | 33 | 6 | 35 | 20 | 1.8 | PDFN5*6 | 是 |
| RMB024N06SL-AU | 60 | 160 | 125 | 2.4 | 80 | 20 | 1.8 | TO-220 | 是 |
| RMD024N06SL-AU | 60 | 160 | 125 | 2.4 | 80 | 20 | 1.8 | PDFN5*6 | 是 |
| RMR015N04SL-AU | 40 | 160 | 125 | 1.5 | 89 | 20 | 1.6 | TOLL | 是 |